Art

J-GLOBAL ID：201902279773906811   Reference number：19A2434765

NO₂ SENSING PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR-TYPE GAS SENSORS USING POROUS Au-LOADED In₂O₃

Auを担持した多孔質In₂O₃系半導体ガスセンサのNO₂検知特性

Author (5)： UEDA TARO (長崎大 大学院) ,  ISHIDA KEIJIRO (長崎大 大学院) ,  KAMADA KAI (長崎大 大学院) ,  HYODO TAKEO (長崎大 大学院) ,  SHIMIZU YASUHIRO (長崎大 大学院)
Material： Chemical Sensors  (化学センサ)
Volume： 35  Issue： Supplement B  Page： 4-6  Publication year： Sep. 05, 2019 
JST Material Number： L3948A  CODEN： KAGSEU  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： gold ,  holding ,  porous medium ,  *indium oxide ,  *gas sensor ,  nitrogen oxide ,  sensor ,  semiconductor device ,  detection ,  thermal decomposition
Semi thesaurus term： loading ,  semiconductor sensor ,  ultrasonic spray pyrolysis

JST classification (1)： Measuring instruments in general  (AD02000X)

Reference (2)：

• T. Hyodo et al., Sens. Actuators B, 150, 265 (2010), E. Fujii et al., ECS Transactions, 50(12), 273 (2012), T. Hyodo et al., Sens. Actuators B, 187, 492 (2013).
• K. Ishida ほか, Chem. Sens, 31(B), 94 (2015).

Terms in the title (5)： Au ,  担持 ,  多孔質 ,  ガスセンサ ,  NO2