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J-GLOBAL ID：201902284280681964   Reference number：19A0768296

Multiphoton-Excitation Photoluminescence as a Tool for Defect Characterization of GaN Crystal

多光子励起フォトルミネッセンスを用いたGaN結晶中の転位の非破壊・三次元観察

Author (1)： TANIKAWA TOMOYUKI (東北大学金属材料研究所)
Material： まてりあ  (Materia Japan)
Volume： 58  Issue： 3  Page： 144-149(J-STAGE)  Publication year： 2019 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *lattice defect ,  *dislocation(crystal) ,  nondestructive inspection ,  3-D measurement ,  multiple photon excitation ,  photoluminescence ,  observation and view

Author keywords (6)： multiphoton-excitation photoluminescence (MPPL) ,  GaN ,  dislocation ,  three-dimensional imaging ,  halide vapor phase epitaxy ,  nondestructive characterization

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (25)：

• (1) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett., 48(1986), 353-355.
• (2) S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys., 30(1991), L1705-L1707.
• (3) A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki: J. Cryst. Growth, 128(1993), 391-396.
• (4) T. Sasaki and T. Matsuoka: J. Appl. Phys., 64(1988), 4531-4535.
• (5) Y. Oshima, T. Eri, M. Shibata, H. Sunakawa, K. Obayashi, T. Ichihashi and A. Usui: Jpn. J. Appl. Phys., 42(2003), L1-L3.

Terms in the title (6)： 多光子励起 ,  フォトルミネッセンス ,  GaN ,  結晶 ,  転位 ,  観察