Art

J-GLOBAL ID：200902231610715625   Reference number：03A0184107

Preparation of Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation.

ボイドに支援された分離を利用した水素化物気相エピタクシーによる自立したGaNウエハの調製

Author (7)： OSHIMA Y (Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN) ,  ERI T (Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN) ,  SHIBATA M (Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN) ,  SUNAKAWA H (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KOBAYASHI K (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  ICHIHASHI T (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  USUI A (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 42  Issue： 1A/B  Page： L1-L3  Publication year： Jan. 15, 2003 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (18)：

• 1) M. K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, R. Handschuh and M. Stutzmann: Phys. Status Solidi (a) 159 (1997) R3.
• 2) S. Park, I.-W. Park and S. H. Choh: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1141.
• 3) K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu and H. Seki: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L140.
• 4) A. Wakahara, T. Yamamoto, K. Ishio, A. Yoshida, Y. Seki, K. Kainosho and O. Oda: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 2399.
• 5) O. Kryliouk, M. Reed, T. Dann, T. Anderson and B. Chai: Mater. Sci. Eng. B 66 (1999) 26.

Terms in the title (7)： ボイド ,  支援 ,  水素化物気相エピタクシー ,  自立 ,  GaN ,  ウエハ ,  調製