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J-GLOBAL ID：201902286077851412   Reference number：19A1798792

Study on the formation mechanism of bismuth-mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation

真空蒸着により作製したビスマス媒介Geナノドットの形成機構に関する研究

Author (9)： TSUSHIMA Kazuto (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  TAKITA Kensuke (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  TAKITA Kensuke (Hokkaido Electric Power Co., Inc.) ,  NAKAZAWA Hideki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  TAWARA Takehiko (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  TATENO Kouta (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  ZHANG Guoqiang (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  GOTOH Hideki (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  OKAMOTO Hiroshi (Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： SD  Page： SDDG10.1-SDDG10.5  Publication year： Jun. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nanostructure ,  *Germanium ,  *Bismuth ,  *vacuum deposition ,  crystal growth ,  scanning transmisson electron microscope ,  atomic force microscope ,  energy dispersive X-ray spectrometry ,  Auger electron spectroscopy ,  annealing (heat treatment) ,  *nanodot ,  high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscope
Semi thesaurus term： AFM (microscope) ,  EDX analysis ,  Auger electron spectroscopy ,  anneal

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (34)：

• M. S. Skolnick and D. J. Mowbray, Physica E 21, 155 (2004).
• H. Presting, J. Konle, H. Kibbel, and F. Banhart, Physica E 14, 249 (2002).
• A. Alguno, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, K. Nakajima, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 83, 1258 (2003).
• B. Liu, J. Hu, L. Jia, J. Liu, X. Ren, X. Zhang, X. Guo, and S. Liu, Sol. Energy 167, 102 (2018).
• J. Yu, E. Kasper, and M. Oehme, Thin Solid Films 508, 396 (2006).

Terms in the title (6)： 真空蒸着 ,  作製 ,  ビスマス ,  Ge ,  ナノドット ,  研究