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J-GLOBAL ID：201902286189208218   Reference number：19A0690365

Simulation of TOF Transient Currents by the CIP Method

CIP法によるTOF過渡電流波形のシミュレーション

Author (4)： MISHIMA YOSHITAKA (北海道科大 大学院工学研究科) ,  MASUDA TAKAHIRO (北海道科大 大学院工学研究科) ,  SUZUKI KAZUHIKO (北海道科大 大学院工学研究科) ,  SETO SATORU (石川工高専)
Material： 北海道科学大学研究紀要(Web)  (Bulletin of Hokkaido University of Science (Web))
Issue： 46  Page： 19-26 (WEB ONLY)  Publication year： Dec. 26, 2018 
JST Material Number： U0678A  ISSN： 2189-3594  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *numerical solution ,  TOF ,  *semiconductor detector ,  *semiconductor material ,  diffusion equation ,  Diffusion ,  distribution ,  carrier density ,  electric field ,  time evolution ,  electric current ,  waveform ,  simulation ,  excitation energy ,  Monte Carlo Method ,  transport phenomenon ,  *carrier diffusion ,  photoproduction ,  carrier ,  *gamma-ray detector ,  CIP method ,  advection-diffusion equation ,  *internal electric field ,  current waveform ,  carrier transport ,  charge carrier
Semi thesaurus term： drift diffusion ,  carrier distribution ,  transient current ,  excitation intensity

JST classification (2)： Polarimetry and polarimeters  (BD07050K) ,  Radiation detection and detectors  (AD08020J)

Terms in the title (4)： CIP法 ,  TOF ,  電流波形 ,  シミュレーション