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J-GLOBAL ID：201902291405048617   Reference number：19A2337946

Ambipolar transistor action of germanane electric double layer transistor

ゲルマン電気二重層トランジスタの両極性トランジスタ作用【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Katayama Yumiko (Graduate School of Arts and Sciences, The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku 153-8902, Japan) ,  Yamauchi Ryoto (Graduate School of Arts and Sciences, The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku 153-8902, Japan) ,  Yasutake Yuhsuke (Graduate School of Arts and Sciences, The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku 153-8902, Japan) ,  Fukatsu Susumu (Graduate School of Arts and Sciences, The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku 153-8902, Japan) ,  Ueno Kazunori (Graduate School of Arts and Sciences, The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku 153-8902, Japan)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 115  Issue： 12  Page： 122101-122101-5  Publication year： 2019 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Germanane (GeH) is a hydrogen-...

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Thesaurus term： *germane ,  Hall effect ,  sheet resistance ,  *transistor ,  substrate (plate) ,  positive hole ,  Germanium ,  Hall mobility ,  crystal ,  thin film ,  semiconductor ,  hydrogen terminated ,  *both poles
Semi thesaurus term： *電気二重層トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (4)： ゲルマン ,  電気二重層トランジスタ ,  両極性 ,  トランジスタ