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J-GLOBAL ID：201902291881814077   Reference number：19A2722109

A Modified LDMOS-SCR with High Holding Voltage for high voltage ESD Protection

高電圧ESD保護のための高保持電圧の改良LDMOS-SCR【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Song Wenqiang (University of Electronic Science and Technology of China,State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,,Chengdu,,China) ,  Liu Zhiwei (University of Electronic Science and Technology of China,State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,,Chengdu,,China) ,  Liou Juin J. (Zhengzhou University,School of Information Engineering,,Zhengzhou,,China)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2019  Issue： ISNE  Page： 1-3  Publication year： 2019 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： A modified lateral DMOS-SCR wi...

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Thesaurus term： *voltage ,  current-voltage characteristic ,  floating ,  simulation
Semi thesaurus term： TCAD ,  静電気放電 ,  *LDMOS ,  *ESD保護 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Amplification circuits  (NC05040U)

Terms in the title (4)： 高電圧 ,  ESD保護 ,  LDMOS ,  SCR