Pat

J-GLOBAL ID：201903002474128925

Fe-Ga基合金単結晶の育成方法及び育成装置

Inventor： 福田 承生 ,  渡辺 清和 ,  南都 十輝 ,  鈴木 茂 ,  上野 敏幸
Applicant, Patent owner： 株式会社福田結晶技術研究所
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015091284
Publication number (International publication number)：2016028831
Patent number：6606638
Application date： Apr. 28, 2015
Publication date： Mar. 03, 2016
Claim (excerpt)：

【請求項1】ルツボを、外側ルツボと、該外側ルツボ内に配置された内側ルツボとからなる二重ルツボとし、前記外側ルツボの外側に配置した高周波誘導加熱源により加熱を行い、前記内側ルツボ内の原料融液に種結晶を接触させた後に、前記種結晶を引き上げて単結晶を育成させるFe-Ga基合金単結晶の育成方法。

IPC (3)：

B22D 27/04 ( 200 6.01) ,  C30B 29/52 ( 200 6.01) ,  C30B 15/10 ( 200 6.01)

FI (3)：

B22D 27/04 D ,  C30B 29/52 ,  C30B 15/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 炭素質ルツボの内面保護シート
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-293916   Applicant：東洋炭素株式会社
• 特開昭64-018986
  
• 半導体単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-105175   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• インプラント部材用Co-Cr系合金単結晶とその製造方法およびインプラント部材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-026753   Applicant：国立大学法人大阪大学
• 特開平3-008792
  
• 多結晶半導体インゴットの製造方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-166289   Applicant：シャープ株式会社
• 連続引上法による結晶の製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-325640   Applicant：有限会社デジタル・ウェーブ

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Growth of Fe-Ga Alloy Single Crystals By the Czochralski Method and Their Application to Vibration P