シリコン量子ドットの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：西澤利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018042772
Publication number (International publication number)：2019156665
Application date： Mar. 09, 2018
Publication date： Sep. 19, 2019
Summary：

【課題】ポーラスシリコンを原料としたレーザー照射法によるシリコンナノ粒子作製手法における、(1)高性能化(サイズ制御性・発光効率の改善)、(2)大量生産性の向上(作製収量の改善)、(3)低コスト化(レーザー照射原料作製コストの削減)を図る。【解決手段】結晶シリコンウエハーをフッ酸水溶液中に浸漬し、電気化学エッチング法を用いて、シリコン原子を局所的に溶出し、次々と表面から内部に向かってエッチングを行い、シリコンウエハー表面及び内部にナノメートルオーダーの微細孔形成によりシリコン量子ドットを高密度に含むポーラスシリコン層を作製し、シリコンウエハーからポーラスシリコンを分離してポーラスシリコンフレークを得て、得られたポーラスシリコンフレークを原料として有機溶媒中でレーザー照射又は、加熱を行い、量子ドットコロイド分散溶液を得る。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

結晶シリコンウエハーをフッ酸水溶液中に浸漬し、電気化学エッチング法を用いて陽極酸化により、フッ酸水溶液に含まれるHFにより表面から内部に向かってエッチングを施してナノメートルオーダーの多孔質層からなるポーラスシリコン層を作製し、液中でシリコンウエハーからポーラスシリコン層を分離してポーラスシリコンフレークを得て、得られたポーラスシリコンフレークを原料として有機溶媒中でレーザー照射又は、加熱、もしくはそれらを組み合わせた方法を行い、量子ドットコロイド分散溶液を得ることを特徴とするシリコン量子ドットの製造方法。

IPC (3)：

C01B 33/02 , B82Y 20/00 , B82Y 40/00

FI (3)：

C01B33/02 Z , B82Y20/00 , B82Y40/00

F-Term (19)：

4G072AA01 , 4G072BB05 , 4G072BB11 , 4G072DD07 , 4G072EE07 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH01 , 4G072JJ18 , 4G072LL06 , 4G072LL11 , 4G072LL15 , 4G072MM40 , 4G072QQ06 , 4G072RR12 , 4G072RR26 , 4G072UU30 , 4H001CF01 , 4H001XA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

アノード電池材料およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2017-047396 Applicant：ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ, ロッキード・マーティン・コーポレーション
発光シリコン粒子及び発光シリコン粒子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-101398 Applicant：国立大学法人群馬大学
ナノ粒子、およびナノ粒子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-028872 Applicant：国立大学法人広島大学

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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