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J-GLOBAL ID：201903004245520334

シリコン量子ドットの製造方法

Inventor：
中村 俊博

About 中村 俊博

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越田 信義

About 越田 信義

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嶋田 壽一

About 嶋田 壽一


Applicant, Patent owner：
学校法人法政大学

About 学校法人法政大学

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株式会社カンタム14

About 株式会社カンタム14


Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018042772
Publication number (International publication number)：2019156665
Application date： Mar. 09, 2018
Publication date： Sep. 19, 2019
Summary：
【課題】ポーラスシリコンを原料としたレーザー照射法によるシリコンナノ粒子作製手法における、(1)高性能化(サイズ制御性・発光効率の改善)、(2)大量生産性の向上(作製収量の改善)、(3)低コスト化(レーザー照射原料作製コストの削減)を図る。【解決手段】結晶シリコンウエハーをフッ酸水溶液中に浸漬し、電気化学エッチング法を用いて、シリコン原子を局所的に溶出し、次々と表面から内部に向かってエッチングを行い、シリコンウエハー表面及び内部にナノメートルオーダーの微細孔形成によりシリコン量子ドットを高密度に含むポーラスシリコン層を作製し、シリコンウエハーからポーラスシリコンを分離してポーラスシリコンフレークを得て、得られたポーラスシリコンフレークを原料として有機溶媒中でレーザー照射又は、加熱を行い、量子ドットコロイド分散溶液を得る。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
結晶シリコンウエハーをフッ酸水溶液中に浸漬し、電気化学エッチング法を用いて陽極酸化により、フッ酸水溶液に含まれるHFにより表面から内部に向かってエッチングを施してナノメートルオーダーの多孔質層からなるポーラスシリコン層を作製し、液中でシリコンウエハーからポーラスシリコン層を分離してポーラスシリコンフレークを得て、得られたポーラスシリコンフレークを原料として有機溶媒中でレーザー照射又は、加熱、もしくはそれらを組み合わせた方法を行い、量子ドットコロイド分散溶液を得ることを特徴とするシリコン量子ドットの製造方法。
IPC (3)：
C01B 33/02 ,  B82Y 20/00 ,  B82Y 40/00
FI (3)：
C01B33/02 Z ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00
F-Term (19)：
4G072AA01 ,  4G072BB05 ,  4G072BB11 ,  4G072DD07 ,  4G072EE07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ18 ,  4G072LL06 ,  4G072LL11 ,  4G072LL15 ,  4G072MM40 ,  4G072QQ06 ,  4G072RR12 ,  4G072RR26 ,  4G072UU30 ,  4H001CF01 ,  4H001XA14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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