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J-GLOBAL ID：201903007832582937

フォトニック結晶光回路および発光装置

Inventor： 高橋 和 ,  高橋 幸司 ,  河西 秀典 ,  野田 進 ,  浅野 卓
Applicant, Patent owner： 公立大学法人大阪府立大学 ,  シャープ株式会社 ,  国立大学法人京都大学
Agent (1)： 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017161646
Publication number (International publication number)：2019040046
Application date： Aug. 24, 2017
Publication date： Mar. 14, 2019
Summary：

【課題】異なる波長を有する複数の共振器を同時に励起させる。【解決手段】光源モジュール(4)は、シリコン基板(4a)に多数の空孔(4b)が形成されたフォトニック結晶構造体を備えている。フォトニック結晶構造体には、複数の微小共振器(41〜43)が設けられている。各微小共振器(41〜43)は、単一の励起光源から発されて基板(4a)に入射する入射光により同時に励起され、かつ異なる励起波長で共振する励起共振モードをそれぞれ有する。入射光は、前記複数の共振器に対する複数の異なる前記励起波長を連続的に含むスペクトルを有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板に多数の空孔が形成されたフォトニック結晶構造体を備え、 前記フォトニック結晶構造体には複数の共振器が設けられており、 前記複数の共振器は、単一の励起光源から発されて前記基板に入射する入射光により同時に励起され、かつ異なる励起波長で共振する励起共振モードをそれぞれ有し、 前記入射光は、前記複数の共振器に対する複数の異なる前記励起波長を連続的に含むスペクトルを有することを特徴とするフォトニック結晶光回路。

IPC (5)：

G02B 6/122 ,  G02F 1/35 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/10

FI (7)：

G02B6/122 301 ,  G02F1/35 501 ,  G02B6/12 331 ,  G02B6/12 301 ,  G02B6/42 ,  G02F1/35 502 ,  H01S5/10

F-Term (45)：

2H137AB08 ,  2H137AB11 ,  2H137AB16 ,  2H137BA01 ,  2H137BA32 ,  2H137BA43 ,  2H137BA53 ,  2H137BB12 ,  2H137BC02 ,  2H137BC51 ,  2H137DB08 ,  2H137DB09 ,  2H147AB03 ,  2H147AB04 ,  2H147AB15 ,  2H147AB17 ,  2H147AB20 ,  2H147AB21 ,  2H147BF03 ,  2H147BF08 ,  2H147BF13 ,  2H147BF15 ,  2H147BG01 ,  2H147CA01 ,  2H147CA08 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13B ,  2H147EA13C ,  2H147EA25B ,  2H147GA01 ,  2K102AA15 ,  2K102BA13 ,  2K102BA18 ,  2K102BB01 ,  2K102BB02 ,  2K102BC01 ,  2K102CA00 ,  2K102DA09 ,  2K102DB01 ,  2K102DC07 ,  2K102EA25 ,  2K102EB10 ,  2K102EB16 ,  2K102EB20 ,  5F173AB90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 光アクティブデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-280754   Applicant：三菱電機株式会社, 京都大学長
• 光集積回路および光モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-009306   Applicant：国立大学法人大阪大学
• 発光素子モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-314129   Applicant：住友電気工業株式会社
• 光第2高調波発生素子及びそれを用いた光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-108731   Applicant：京セラ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Raman shift and strain effect in high-Q photonic crystal silicon nanocavity