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J-GLOBAL ID：201903008036599549

化合物半導体の量子ドットを含む膜

Inventor： 細野 秀雄 ,  金 正煥 ,  中村 伸宏 ,  渡邉 暁 ,  宮川 直通
Applicant, Patent owner： AGC株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
Agent (2)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018153628
Publication number (International publication number)：2019041104
Application date： Aug. 17, 2018
Publication date： Mar. 14, 2019
Summary：

【課題】所望の特性を再現性良く発揮することが可能な、化合物半導体の量子ドットを含む膜を提供する。【解決手段】化合物半導体の量子ドットを含む膜であって、当該膜は、化合物半導体Xと、30mol%未満の酸化ケイ素とを含み、前記量子ドットは、シェラー直径が1nm〜15nmの範囲であり、隣接する前記量子ドット同士の間には、厚さが3nm以下の絶縁障壁が存在し、前記絶縁障壁は、非晶質であり、酸化ケイ素および前記化合物半導体Xを有することを特徴とする膜。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

化合物半導体の量子ドットを含む膜であって、 当該膜は、化合物半導体Xと、30mol%未満の酸化ケイ素とを含み、 前記量子ドットは、シェラー直径が1nm〜15nmの範囲であり、 隣接する前記量子ドット同士の間には、厚さが3nm以下の絶縁障壁が存在し、 前記絶縁障壁は、非晶質であり、酸化ケイ素および前記化合物半導体Xを有することを特徴とする膜。

IPC (2)：

H01L 29/06 ,  B82Y 20/00

FI (2)：

H01L29/06 601D ,  B82Y20/00

F-Term (13)：

5F103AA08 ,  5F103BB05 ,  5F103BB22 ,  5F103DD27 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103HH10 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05 ,  5F103RR04 ,  5F103RR05