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J-GLOBAL ID：201903008962446586

イオンビーム発生装置およびイオンビーム発生方法

Inventor： スパダベッキヤ ウルデリコ クラウディオ アントニオ ,  志村 尚彦 ,  安井 祐之 ,  佐古 貴行 ,  松田 晋弥 ,  竹崎 太智 ,  佐々木 徹 ,  高橋 一匡 ,  菊池 崇志
Applicant, Patent owner： 東芝エネルギーシステムズ株式会社 ,  国立大学法人長岡技術科学大学
Agent (1)： 特許業務法人東京国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018076802
Publication number (International publication number)：2019186079
Application date： Apr. 12, 2018
Publication date： Oct. 24, 2019
Summary：

【課題】イオンビームを安定的に発生させることができるイオンビーム発生技術を提供する。【解決手段】イオンビーム発生装置1は、プラズマPの発生源となるガスGが満たされるプラズマ発生室21と、プラズマ発生室21に設けられ、ガスGの分子を電離させてプラズマPを発生させる電離用電極16と、プラズマ発生室21からプラズマPが導入されるプラズマフォーカス室9と、プラズマフォーカス室9に設けられ、プラズマPを加速させる加速用電極4とを備える。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

プラズマの発生源となるガスが満たされるプラズマ発生室と、 前記プラズマ発生室に設けられ、前記ガスの分子を電離させてプラズマを発生させる電離用電極と、 前記プラズマ発生室から前記プラズマが導入されるプラズマフォーカス室と、 前記プラズマフォーカス室に設けられ、前記プラズマを加速させる加速用電極と、 を備えるイオンビーム発生装置。

IPC (4)：

H01J 37/04 ,  H01J 37/08 ,  H05H 1/24 ,  H05H 1/54

FI (4)：

H01J37/04 Z ,  H01J37/08 ,  H05H1/24 ,  H05H1/54

F-Term (17)：

2G084AA12 ,  2G084AA22 ,  2G084AA24 ,  2G084BB01 ,  2G084CC03 ,  2G084CC11 ,  2G084CC32 ,  2G084DD01 ,  2G084DD12 ,  2G084DD22 ,  2G084DD39 ,  2G084FF02 ,  2G084FF25 ,  5C030BB02 ,  5C030BB06 ,  5C030BB09 ,  5C030DE10