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J-GLOBAL ID：202002217913474148   Reference number：20A0415080

Materials Research and Development on Magnetization Switching Technique for Voltage-Torque MRAM

超低消費電力磁気メモリの開発最前線 電圧トルクMRAMに向けた新材料探索と磁化反転制御技術開発

Author (7)： NOZAKI TAKAYUKI (産業技術総合研) ,  YAMAMOTO TATSUYA (産業技術総合研) ,  MIWA SHINJI (東大 物性研) ,  MIWA SHINJI (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  SUZUKI YOSHISHIGE (産業技術総合研) ,  SUZUKI YOSHISHIGE (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  YUASA SHINJI (産業技術総合研)
Material： まぐね  (Magnetics Japan)
Volume： 15  Issue： 1  Page： 15-23  Publication year： Feb. 01, 2020 
JST Material Number： L5842A  ISSN： 1880-7208  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： spintronics ,  magnetic semiconductor ,  magnetic reluctance ,  magnetic anisotropy ,  *magnetoresistive random access memory ,  consumed electric power ,  magnetic memory ,  torque ,  *magnetization reversal ,  voltage control ,  error rate ,  data writing ,  tunnel junction ,  magnetoresistance effect ,  thermal stability
Semi thesaurus term： spintronic device ,  tunneling magnetoresistance ,  *電圧磁気異方性制御 ,  ultra-low power ,  spin transfer torque ,  *電圧トルクMRAM ,  *電圧誘起ダイナミック磁化反転 ,  WER ,  magnetic tunnel junction ,  VCMA

JST classification (2)： Memory units  (JC04060F) ,  Magnetic domain and magnetization process in general  (BM06111M)

Reference (62)：

• S. Yuasa, T. Nagahama, A. Fukushima, Y. Suzuki, and K. Ando: Nat. Mater., 3, 868 (2004).
• S. S. Parkin, C. Kaiser, A. Panchula, P. M. Rice, B. Hughes, M. Samant, and S. H. Yang: Nat. Mater., 3, 862 (2004).
• J. C. Slonczewski: J. Magn. Magn. Mat., 159, L1 (1996).
• L. Berger, Phys. Rev. B, 54, 9353 (1996).
• E. B. Myers, D. C. Ralph, J. A. Katine, R. N. Louie, and R. A. Buhrman: Science, 285, 867 (1999).

Terms in the title (9)： 低消費電力 ,  磁気メモリ ,  開発 ,  トルク ,  MRAM ,  新材料 ,  探索 ,  磁化反転 ,  制御技術