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J-GLOBAL ID：202002219439911624   Reference number：20A2648309

Gate threshold voltage instability and on-resistance degradation under reverse current conduction stress on E-mode GaN-HEMTs

EモードGaN-HEMT上の逆電流伝導応力下のゲート閾値電圧不安定性とオン抵抗劣化【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Nakayama T. (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Mannen T. (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Nakajima A. (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Isobe T. (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan)
Material： Microelectronics Reliability  (Microelectronics and Reliability)
Volume： 114  Page： Null  Publication year： 2020 
JST Material Number： C0530A  ISSN： 0026-2714  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： This paper investigates device...

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Thesaurus term： *electric current ,  instability ,  duration time ,  *on resistance ,  *threshold voltage ,  stress effect ,  back stress
Semi thesaurus term： 電力損失 ,  ゲート電極 ,  デバイス特性 ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (9)： GaN ,  HEMT ,  逆電流 ,  伝導 ,  応力 ,  ゲート ,  閾値電圧 ,  不安定性 ,  オン抵抗