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J-GLOBAL ID：202002222012022423   Reference number：20A0705743

A dual mode electronic synapse based on layered SnSe films fabricated by pulsed laser deposition

パルスレーザ蒸着により作製した層状SnSe膜に基づく二重モード電子シナプス【JST・京大機械翻訳】

Author (9)： Chen Xinxin (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong. [e-mail]) ,  Suen Chun-Hung ,  Yau Hei-Man ,  Zhou Feichi ,  Chai Yang ,  Tang Xiaodan ,  Zhou Xiaoyuan ,  Onofrio Nicolas ,  Dai Ji-Yan
Material： Nanoscale Advances
Volume： 2  Issue： 3  Page： 1152-1160  Publication year： 2020 
JST Material Number： W5051A  ISSN： 2516-0230  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： An artificial synapse, such as...

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Thesaurus term： *tin ,  voltage ,  *pulse ,  two dimension ,  chalcogenide ,  emulation ,  mode 1(material phenomenon) ,  mode 2(material phenomenon) ,  computer ,  synergism ,  *synapse ,  density functional method ,  Schottky barrier ,  *pulsed laser deposition ,  silver

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Brain and nervous system models  (EL02050C)

Terms in the title (6)： パルスレーザ蒸着 ,  作製 ,  層状 ,  二重モード ,  電子 ,  シナプス