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J-GLOBAL ID：202002224193627562   Reference number：20A1679503

A High Temperature Silicon Qubit

シリコン量子ビットの高温動作

Author (3)： ONO KEIJI (理研) ,  MORI TAKAHIRO (産業技術総合研 デバイス技術研究部門) ,  MORIYAMA SATOSHI (物質・材料研究機構)
Material： 日本物理学会誌
Volume： 75  Issue： 8  Page： 472-477  Publication year： Aug. 05, 2020 
JST Material Number： F0221A  ISSN： 0029-0181  CODEN： NBGSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *quantum information ,  *silicon ,  two-level system ,  nuclear spin ,  electron spin ,  time ,  impurity level ,  nitrogen ,  aluminum ,  *quantum dot ,  quantum computer ,  integrated circuit ,  FET ,  doping
Semi thesaurus term： *quantum bit ,  coherence time ,  operating temperature ,  double quantum dot ,  tunnel field effect transistor

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Reference (21)：

• 1) F. A. Zwanenburg et al., Rev. Mod. Phys. 85, 961(2013).
• 2) K. Ono, T. Tanamoto, and T. Ohguro, Appl. Phys. Lett. 103, 183107(2013).
• 3) K. Ono, T. Mori, and S. Moriyama, Sci. Rep. 9, 469(2019).
• 4) J. H. Stathis and S. Zafar, Microelectron. Reliab. 46, 270(2006).
• 5) J. P. Campbell et al., Appl. Phys. Lett. 91, 133507(2007).

Terms in the title (3)： シリコン ,  量子ビット ,  高温動作