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J-GLOBAL ID：202002225106451717   Reference number：20A0948696

Estimation and verification of junction temperature in self-heating of power semiconductor devices

パワー半導体デバイスの自己発熱におけるジャンクション温度の推定と妥当性の検証

Author (4)： KAWAUCHI KOKI (大阪大) ,  SUGIHARA HIDEHARU (大阪大) ,  FUKUNAGA SHUHEI (大阪大) ,  FUNAKI TSUYOSHI (大阪大)
Material： 電気学会研究会資料
Issue： IM-20-008-016 計測研究会  Page： 17-22  Publication year： Mar. 27, 2020 
JST Material Number： Z0924B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： power electronics ,  finite volume method ,  simulation ,  temperature ,  joint(part) ,  thermal resistance ,  heating ,  optimization ,  transient analysis ,  *Schottky barrier diode ,  silicon carbide ,  warming ,  current-voltage characteristic ,  heat management
Semi thesaurus term： *パワー半導体デバイス ,  SiC-SBD ,  Numerical Simulation ,  *junction temperature ,  過渡熱抵抗 ,  *self heating ,  *PSO

JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Reference (10)：

• 木本恒暢,大谷昇ほか「SiCパワーデバイス最新技術」,サイエンスandテクノロジー社,pp,1~5(2010)
• 菅沼克昭:「SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術」,日刊工業新聞社 pp.38~41(2014)
• ED-4701:「半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法」, JEITA (2001)
• Dustin A. Murdock, Jose E. Ramos Torres : 「Active Thermal Control of Power Electronic Modules 」 IEEE Transactions on Industry Applications, VOL. 42, NO. 2, 552~558 (2006)
• B. Jayant Baliga : 「Fundamentals of Power Semiconductor Devices 」, Springer Science, pp.167~179 (2008)

Terms in the title (7)： パワー ,  半導体デバイス ,  自己発熱 ,  ジャンクション ,  推定 ,  妥当性 ,  検証