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J-GLOBAL ID：202002226456862647   Reference number：20A2245511

Influence of chamber pressure on the crystal quality of homo-epitaxial GaN grown by radical-enhanced MOCVD (REMOCVD)

ラジカル増強MOCVD(REMOCVD)で成長させたホモエピタキシャルGaNの結晶品質に及ぼすチェンバ圧力の影響【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Amalraj Frank Wilson (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Shimizu Naohiro (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Oda Osamu (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Ishikawa Kenji (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Hori Masaru (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 549  Page： Null  Publication year： 2020 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： III-nitride was grown by radic...

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Thesaurus term： X-Ray Diffraction ,  scanning electron microscope ,  electron microscopy ,  *radical ,  electric power ,  *Gallium ,  Hydrogen ,  Nitrogen ,  *gallium nitride ,  *MOCVD ,  emission spectroscopy ,  atomic force microscope ,  *chamber ,  *crystal quality ,  RF

Author keywords (6)： A1. Crystal morphology ,  A1. Growth modes ,  A3. Radical enhanced MOCVD ,  B1. Nitrides ,  B1. Gallium compounds ,  B2. Semiconducting III-V materials

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (9)： ラジカル ,  増強 ,  MOCVD ,  成長 ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  GaN ,  結晶品質 ,  チェンバ