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J-GLOBAL ID：202002228707641112   Reference number：20A0363861

Effect of post-deposition annealing on electrical properties and structures of aluminum oxide passivation film on a crystalline silicon substrate

結晶シリコン基板上の酸化アルミニウム不動態化膜の電気的性質と構造に及ぼす堆積後アニーリングの影響

Author (5)： ARAFUNE Koji (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  KITANO Sho (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  YOSHIDA Haruhiko (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  OGURA Atsushi (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  HOTTA Yasushi (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： 12  Page： 125502.1-125502.5  Publication year： Dec. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,  *wafer ,  *aluminum oxide ,  *passive state film ,  electrical property ,  annealing(heat treatment) ,  velocity ,  *carrier capture ,  *electric charge ,  carrier lifetime ,  capacitance-voltage characteristic ,  variation ,  ellipsometer ,  reflectivity ,  synchrotron radiation facility ,  *surface structure
Semi thesaurus term： Crystalline silicon ,  *silicon substrate ,  *passivation film ,  post-annealing ,  surface recombination rate ,  interface trap ,  *fixed charge ,  structural change ,  X-ray reflectivity ,  SPring-8 ,  *interfacial structure

JST classification (1)： Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Terms in the title (7)： 結晶 ,  シリコン基板 ,  酸化アルミニウム ,  不動態化膜 ,  電気的性質 ,  堆積 ,  アニーリング