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J-GLOBAL ID：202002235162359738   Reference number：20A1884396

Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation

実験結果と第一原理計算によるGaAsおよびAlAs原子層エピタキシャル成長機構の解明

Author (6)： Ohtsuka Nobuyuki (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Oda Masato (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Eshita Takashi (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Eshita Takashi (Fujitsu Semiconductor Limited, Yokohama 222-0033, Japan) ,  Tanaka Ichiro (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Itoh Chihiro (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 59  Issue： SG  Page： SGGK16 (4pp)  Publication year： Apr. 2020 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： calculation ,  *gallium arsenide ,  *aluminum arsenide ,  *atomic layer epitaxy ,  monolayer ,  *mechanism ,  density functional method ,  adsorption energy ,  termination ,  surface ,  ab initio calculation ,  semiconductor surfaces
Semi thesaurus term： experimental result ,  atomic layer epitaxial growth ,  *growth mechanism ,  density functional theory ,  第一原理全エネルギー計算 ,  termination

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： 実験結果 ,  第一原理計算 ,  GaAs ,  AlAs ,  原子層エピタキシャル成長