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J-GLOBAL ID：202002252484094164   Reference number：20A2241952

Transient response of drain current following biasing stress in GaN HEMTs on SiC substrates with a field plate

フィールドプレートを有するSiC基板上のGaN HEMTにおけるバイアスストレス後のドレイン電流の過渡応答

Author (4)： Ma Qiang (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Yoshida Tomoyo (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Ando Yuji (Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, 464-8601, Japan) ,  Wakejima Akio (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 59  Issue： 10  Page： 101002 (6pp)  Publication year： Oct. 2020 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,  *gallium nitride ,  *HEMT ,  *load test ,  *electric current ,  transient response ,  time constant ,  electron emission ,  activation energy ,  state ,  carrier capture ,  charge trapping
Semi thesaurus term： field plate ,  SiC ,  GAN ,  stress test ,  *drain current ,  OFF state ,  charge trapping

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： フィールド ,  SiC基板 ,  GaN ,  HEMT ,  バイアス ,  ストレス ,  ドレイン電流 ,  過渡応答