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J-GLOBAL ID：202002253927014730   Reference number：20A2238449

Study of n-layer Thickness Effects on Low temperature Electrical Characteristics of Diamond Schottky-pn Diodes

ダイヤモンドSchottky-pnダイオードの低温における電気特性のn層膜厚依存性

Author (11)： KARASAWA AYUMU (筑波大) ,  MAKINO TOSHIHARU (筑波大) ,  MAKINO TOSHIHARU (産業技術総合研) ,  TRAORE A. (筑波大) ,  KATO HIROMITSU (産業技術総合研) ,  OGURA MASAHIKO (産業技術総合研) ,  KATO YUKAKO (産業技術総合研) ,  TAKEUCHI DAISUKE (産業技術総合研) ,  YAMASAKI SATOSHI (筑波大) ,  YAMASAKI SATOSHI (産業技術総合研) ,  SAKURAI TAKEAKI (筑波大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 67th  Page： ROMBUNNO.14a-D221-6  Publication year： Feb. 28, 2020 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *diode ,  *low temperature ,  voltage ,  electric current ,  semiconductor ,  impurity ,  impurity level ,  *Diamond ,  boron ,  temperature dependence ,  doping ,  current density ,  *electrical characteristic ,  valence band ,  hopping conduction ,  *ore ,  *precious stone

JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (6)： ダイヤモンド ,  PN ,  ダイオード ,  低温 ,  電気特性 ,  膜厚依存性