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J-GLOBAL ID：202002255150261585   Reference number：20A2619833

Method of field limiting rings spacing parameter for SiC JBS based on multiple linear regression and polynomial fitting

多重線形回帰と多項式フィッティングに基づくSiC JBSのための磁場制限リング間隔パラメータ法【JST・京大機械翻訳】

Author (6)： Tang Maosen (Southwest Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Chengdu,China) ,  Jun Shen (Southwest Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Chengdu,China) ,  Zhou Zhengdong (Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co., LTD,SiC Chip Product Development Dept.,Zhuzhou,China) ,  Ge Xinglai (Southwest Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Chengdu,China) ,  Liu Dong (Southwest Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Chengdu,China) ,  Zhou Rongbin (Southwest Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Chengdu,China)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2020  Issue： ICIEA  Page： 1859-1863  Publication year： 2020 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Power semiconductor devices de...

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Thesaurus term： *magnetic field ,  simulation ,  *polynomial ,  power transistor ,  *silicon carbide ,  terminal equipment ,  ring structure ,  structural parameter ,  coupled model
Semi thesaurus term： 独立変数 ,  予測精度 ,  デバイスシミュレーション ,  *多重線形回帰 ,  デバイス設計 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (7)： 多重線形回帰 ,  多項式 ,  フィッティング ,  SiC ,  磁場 ,  制限 ,  パラメータ