Art

J-GLOBAL ID：202002257434836308   Reference number：20A2739010

Fabrication of deep-sub-micrometer NbN/AlN/NbN epitaxial junctions on a Si-substrate

Si基板上でのディープサブマイクロメートルNbN/AlN/NbNエピタキシャル接合の作製

Author (2)： Qiu Wei (Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology, 588-2 Iwaoka, Nishi-ku, Kobe, 651-2492, Japan) ,  Terai Hirotaka (Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology, 588-2 Iwaoka, Nishi-ku, Kobe, 651-2492, Japan)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 13  Issue： 12  Page： 126501 (5pp)  Publication year： Dec. 2020 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： wafer ,  length ,  *niobium compound ,  *nitride ,  *aluminum nitride ,  layer ,  titanium compound ,  buffer layer ,  *Josephson junction ,  electron beam lithography ,  RIE ,  chemical mechanical polishing ,  aliphatic fluorine compound ,  bonding and joining ,  current-voltage characteristic
Semi thesaurus term： silicon substrate ,  deep sub-micron ,  *NbN ,  *AlN ,  epitaxial layer ,  TiN ,  silicon substrate ,  reactive ion etching ,  mechanical and chemical polishing

JST classification (1)： Josephson junction and elements  (BM04043E)

Terms in the title (5)： Si基板 ,  NbN ,  AlN ,  エピタキシャル ,  作製