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J-GLOBAL ID：202002258490176433   Reference number：20A2237570

The origin of high thermoelectric power factor in Si-rich SiGe/Si superlattices

Si-rich SiGe/Si超格子における高熱電出力因子の要因

Author (5)： TANIGUCHI TATSUHIKO (大阪大 大学院) ,  ISHIBE TAKAFUMI (大阪大 大学院) ,  ALAM Md. Mahfuz (東京都市大 総研) ,  SAWANO KENTARO (東京都市大 総研) ,  NAKAMURA YOSHIAKI (大阪大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 67th  Page： ROMBUNNO.13a-D511-5  Publication year： Feb. 28, 2020 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *superlattice ,  lattice constant ,  scattering ,  annealing(heat treatment) ,  thermal conductivity ,  thin film ,  *silicon ,  *germanium ,  doping ,  electrical characteristic ,  degeneracy ,  thermoelectric material
Semi thesaurus term： Seebeck係数 ,  圧縮歪 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Thermoelectric devices  (NC03090J)

Terms in the title (7)： Si ,  RICH ,  SiGe ,  超格子 ,  高熱 ,  出力因子 ,  要因