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J-GLOBAL ID：202002269960908400   Reference number：20A1913861

Nondestructive three-dimensional characterization of GaN using multiphoton-excitation photoluminescence mapping.

多光子励起フォトルミネセンスによるGaN結晶の3次元非破壊解析

Author (1)： TANIKAWA TOMOYUKI (大阪大 大学院工学研究科)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 89  Issue： 9  Page： 524-528  Publication year： Sep. 10, 2020 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *multiple photon excitation ,  photoluminescence ,  gallium nitride ,  evaluation ,  image technology ,  *etch pit ,  screw dislocation ,  recombination (connection) ,  light emission ,  *threading dislocation ,  band edge emission
Semi thesaurus term： *GAN ,  *imaging technology ,  *photoluminescence ,  NDE ,  non-radiative recombination

JST classification (3)： Nondestructive testing  (HB02030F) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (27)：

• 1) T. Tawara, T. Miyazawa, M. Ryo, M. Miyazato, T. Fujimoto, K. Takenaka, S. Matsunaga, M. Miyajima, A. Otsuki, Y. Yonezawa, T. Kato, H. Okumura, T. Kimoto, and H. Tsuchida: J. Appl. Phys. 120, 115101 (2016).
• 2) M. Imanishi, K. Murakami, T. Yamada, K. Kakinouchi, K. Nakamura, T. Kitamura, K. Okumura, M. Yoshimura, and Y. Mori: Appl. Phys. Express 12, 045508 (2019).
• 4) S. Usami, Y. Ando, A. Tanaka, K. Nagamatsu, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, Y. Sugawara, Y.-Z. Yao, and Y. Ishikawa: Appl. Phys. Lett. 112, 182106 (2018).
• 5) T. Hamachi, S. Takeuchi, T. Tohei, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, and A. Sakai: J. Appl. Phys. 123, 161417 (2018).
• 6) J. Wang, H. You, H. Guo, J. Xue, G. Yang, D. Chen, B. Liu, H. Lu, R. Zhang, and Y. Zheng: Appl. Phys. Lett. 116, 062104 (2020).

Terms in the title (6)： 多光子励起 ,  フォトルミネセンス ,  GaN ,  結晶 ,  3次元 ,  破壊解析