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J-GLOBAL ID：202002272645948218   Reference number：20A0566799

高圧合成SnN_xの電子構造

Author (12)： MAEGUCHI KEISUKE (名大 院) ,  NUNOKAWA NORIYUKI (名大 院) ,  HOTTA HAYATO (名大 院) ,  KATO MASAHIKO (名大 院) ,  SODA KAZUO (名大 院) ,  SODA KAZUO (名大 SR) ,  SODA KAZUO (あいちSR) ,  INAGAKI TOMOYA (名大 院) ,  NIWA KEN (名大 院) ,  HASEGAWA MASASHI (名大 院) ,  IKEMOTO YUKA (JASRI) ,  IRIZAWA AKINORI (大阪大 産科研)
Material： 日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(Web)  (日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集(Web))
Volume： 32nd  Page： ROMBUNNO.10P026 (WEB ONLY)  Publication year： Jan. 09, 2019 
JST Material Number： U1891A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： chemical synthesis ,  tin compound ,  nitride ,  *electronic structure ,  diamond anvil ,  synchrotron radiation facility ,  *optical constant ,  density functional method ,  exchange interaction ,  dielectric function ,  compound semiconductor ,  reflectivity ,  SPring-8 ,  high pressure synthesis ,  *infrared reflection spectrum ,  IR microspectroscopy
Semi thesaurus term： generalized gradient approximation ,  modified Becke-Johnson exchange potential ,  infrared microspectroscopy ,  *窒化スズ

JST classification (2)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B)

Terms in the title (2)： 高圧合成 ,  電子構造