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J-GLOBAL ID：202002274597277748   Reference number：20A0310457

Effect of Chemical Pretreatment of Copper Substrate on Synthesis of Graphene by Chemical Vapor Deposition

CVD法によるグラフェン調製に及ぼす銅箔表面化学エッチング前処理の影響【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Liu Xiangqi (昆明理工大学材料科学与工程学院,云南 昆明,650093) ,  Yin Jiancheng (昆明理工大学材料科学与工程学院,云南 昆明,650093) ,  Lin Zhengde (中国科学院寧波材料技術与工程研究所,浙江 寧波,315201)
Material： Cailiao Kexue Yu Gongcheng Xuebao
Volume： 37  Issue： 5  Page： 763-767  Publication year： 2019 
JST Material Number： C2657A  ISSN： 1673-2812  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Thesaurus term： pretreatment ,  characterization ,  *chemical vapor deposition ,  *graphene ,  Hall effect ,  quality ,  electrical property ,  impurity ,  *copper foil ,  Raman spectrum ,  *wet etching
Semi thesaurus term： ペルオキソ二硫酸アンモニウム , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Carbon and its compounds  (YB02060D)

Terms in the title (7)： CVD法 ,  グラフェン ,  調製 ,  銅箔 ,  表面化学 ,  エッチング ,  前処理