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J-GLOBAL ID：202002275346149378   Reference number：20A2763548

Impact of Film Stress of Field-Plate Dielectric on Electric Characteristics of GaN-HEMTs

GaN-HEMTの電気特性に及ぼす電界板誘電体の膜応力の影響【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Ando Yuji (Department of Electronics, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Takahashi Hidemasa (Department of Electronics, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Ma Qiang (Graduate School of Engineering, Tsukuri College, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Wakejima Akio (Graduate School of Engineering, Tsukuri College, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Suda Jun (Department of Electronics, Nagoya University, Nagoya, Japan)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 67  Issue： 12  Page： 5421-5426  Publication year： 2020 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： This article reports a systema...

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Thesaurus term： optimization ,  *electric field ,  electric current ,  *dielectrics ,  dielectric thin film ,  electrical property ,  *membrane stress ,  tension (material phenomenon) ,  *electrical characteristic ,  pulse ,  tensile stress ,  *HEMT ,  Aluminum Gallium Nitride/Gallium Nitride ,  modification
Semi thesaurus term： フィールドプレート ,  ゲート漏れ電流 ,  AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： GaN ,  HEMT ,  電気特性 ,  電界 ,  誘電体 ,  膜応力