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J-GLOBAL ID：202002278513868423   Reference number：20A0787167

Evaluation of GaAs solar cells grown under different conditions via hydride vapor phase epitaxy

水素化物気相エピタクシーにより異なる条件下で成長させたGaAs太陽電池の評価【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Oshima Ryuji (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Shoji Yasushi (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Makita Kikuo (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Ubukata Akinori (Taiyo Nippon Sanso Corporation, Ibaraki 300-2611, Japan) ,  Sugaya Takeyoshi (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 537  Page： Null  Publication year： 2020 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： In this study, we characterize...

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Thesaurus term： alloy ,  *solar cell ,  reaction rate ,  *gallium arsenide ,  chemical reactor ,  *hydride ,  rate theory ,  residual gas ,  characterization ,  growth rate
Semi thesaurus term： InGaP ,  開回路電圧 ,  ヘテロ界面 ,  ドーピングプロファイル , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (4)： A3. Hydride vapor phase epitaxy ,  B1. Alloys ,  B2. Semiconducting gallium arsenide ,  B3. Solar cells

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (5)： 水素化物気相エピタクシー ,  成長 ,  GaAs ,  太陽電池 ,  評価