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J-GLOBAL ID：202002289830435985   Reference number：20A1072930

Argon Precursor Ion Implantation Used to Activate Boron Atoms in Silicon at Low Temperatures

低温でシリコン中のホウ素原子を活性化するために用いられるArgon前駆体イオン注入【JST・京大機械翻訳】

Author (4)： Sameshima Toshiyuki (Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Tokyo, Japan) ,  Nagao Tomokazu (Nissin Ion Equipment Company, Ltd., Kyoto, Japan) ,  Sekiguchi Erika (Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Tokyo, Japan) ,  Hasumi Masahiko (Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Tokyo, Japan)
Material： IEEE Access
Volume： 8  Page： 72598-72606  Publication year： 2020 
JST Material Number： W2422A  ISSN： 2169-3536  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The two-step implantation of a...

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Thesaurus term： recrystallization ,  *low temperature ,  *silicon ,  *boron ,  *ion implantation ,  doping ,  radiation dose ,  *precursor (substance) ,  sheet resistance ,  monocrystal silicon ,  hole mobility

JST classification (2)： Speach processing  (JE05000E) ,  CAI  (JE09000G)

Terms in the title (7)： 低温 ,  シリコン ,  ホウ素 ,  原子 ,  活性化 ,  前駆体 ,  イオン注入