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J-GLOBAL ID：202002291857159506   Reference number：20A1358564

Mechanism of resist heating effect in chemically amplified resist

化学増幅レジストにおけるレジスト加熱効果の機構【JST・京大機械翻訳】

Author (6)： Ikari Y. (Osaka Univ. (Japan)) ,  Okamoto K. (Osaka Univ. (Japan)) ,  Maeda N. (Osaka Univ. (Japan)) ,  Konda A. (Osaka Univ. (Japan)) ,  Kozawa T. (Osaka Univ. (Japan)) ,  Tamura T. (NuFlare Technology, Inc. (Japan))
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 11326  Page： 113260G-6  Publication year： 2020 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The photo-mask in lithographic...

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Thesaurus term： simulation ,  electric field ,  semiconductor device ,  dyestuff ,  temperature dependence ,  current density ,  *resist ,  throughput ,  lithography ,  thermalization ,  pattern formation ,  *chemically amplified resist ,  cation radical ,  deprotonation ,  Monte Carlo simulation

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： 化学増幅レジスト ,  レジスト ,  加熱効果