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J-GLOBAL ID：202003002459355886

二酸化バナジウム薄膜の製造方法

Inventor： 河原 正美 ,  佐村 剛 ,  内田 貴司 ,  ヴァン・ニュ・ハイ ,  立木 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社高純度化学研究所
Agent (2)： 木下 茂 ,  澤田 優子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019041121
Publication number (International publication number)：2020142961
Application date： Mar. 07, 2019
Publication date： Sep. 10, 2020
Summary：

【課題】本発明は、有機金属分解法により、二酸化バナジウム薄膜又は異種元素ドープ二酸化バナジウム薄膜の高純度品を簡便に量産する方法を提供する。【解決手段】 酸化バナジウム前駆体に、炭素数2〜10のカルボン酸及び炭素数5〜11のβ-ジケトンからなる群より選択される少なくとも一種の安定化剤、及び、溶剤を添加して二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液を調製する工程1と、前記二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液を基材上に塗布して膜を形成し、不活性雰囲気下に250〜350°Cで仮焼成を行う工程2と、前記工程2に続いて、不活性ガス雰囲気下に、550〜750°Cで本焼成を行う工程3とを有する二酸化バナジウム薄膜の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸化バナジウム前駆体に、炭素数2〜10のカルボン酸及び炭素数5〜11のβ-ジケトンからなる群より選択される少なくとも一種の安定化剤、及び、溶剤を添加して二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液を調製する工程1と 前記二酸化バナジウム薄膜形成用原料溶液を基材上に塗布して膜を形成し、不活性雰囲気下に250〜350°Cで仮焼成を行う工程2と 前記工程2に続いて、不活性ガス雰囲気下に、550〜750°Cで本焼成を行う工程3とを有する二酸化バナジウム薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C01G 31/02 ,  C01G 31/00

FI (2)：

C01G31/02 ,  C01G31/00

F-Term (6)：

4G048AA02 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ボロメ-タ用酸化物薄膜および該酸化物薄膜を用いた赤外線センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-194502   Applicant：日本電気株式会社