微細突起を有するシリコン微粒子の製造方法、及びシリコン微粒子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田伸哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018192860
Publication number (International publication number)：2020059631
Application date： Oct. 11, 2018
Publication date： Apr. 16, 2020
Summary：

【課題】簡易な操作と安価な材料を用いて、シリコン微粒子の表面に微細な突起を形成する手段を提供すること。【解決手段】リン若しくはそれを含む化合物、又はホウ素若しくはそれを含む化合物をシリコン微粒子に接触させてから熱処理を行うことでシリコン微粒子にリン又はホウ素をドープした後、リンをドープした場合には、フッ化水素酸及び遷移金属イオンを含む溶液にシリコン微粒子を浸漬することで、そのシリコン微粒子の表面に遷移金属粒子を析出させるとともに、当該析出に伴って、遷移金属粒子との接触部が酸化されたシリコン微粒子の表面をフッ化水素酸でエッチングする第一エッチング工程を行った後、上記遷移金属粒子を除去することにより、また、ホウ素をドープした場合には、リンをドープした場合と同様に第一エッチング工程を行った後、さらにフッ化水素酸及び酸化剤を用いて第二エッチング工程を行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

リン若しくはそれを含む化合物、又はホウ素若しくはそれを含む化合物をシリコン微粒子に接触させ、さらに熱処理を行うことにより、前記シリコン微粒子にリン又はホウ素をドープするドーピング工程と、フッ化水素酸及び遷移金属イオンを含む溶液に、前記ドーピング工程を経たシリコン微粒子を浸漬することで、前記シリコン微粒子の表面に遷移金属粒子を析出させるとともに、当該析出に伴って、前記遷移金属粒子との接触部が酸化された前記シリコン微粒子の表面をフッ化水素酸でエッチングする第一エッチング工程と、前記第一エッチング工程を経たシリコン微粒子から、前記遷移金属粒子を除去する除去工程と、を備え、前記ドーピング工程によりホウ素がドープされた場合には、前記第一エッチング工程を経たシリコン微粒子をフッ化水素酸及び酸化剤を含む溶液に浸漬させる第二エッチング工程をさらに含む、表面突起を有するシリコン微粒子の製造方法。

IPC (1)：

C01B 33/02

FI (1)：

C01B33/02 Z

F-Term (24)：

4G072AA01 , 4G072AA02 , 4G072BB05 , 4G072BB20 , 4G072DD05 , 4G072DD06 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH01 , 4G072JJ07 , 4G072JJ18 , 4G072JJ30 , 4G072KK01 , 4G072LL06 , 4G072LL11 , 4G072MM11 , 4G072MM24 , 4G072QQ06 , 4G072RR01 , 4G072RR12 , 4G072TT01 , 4G072TT30 , 4G072UU02 , 4G072UU30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

シリコンナノ粒子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2016-174578 Applicant：学校法人東京電機大学
表面孔を有するシリコン微粒子の製造方法、及びシリコン微粒子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2018-192870 Applicant：学校法人東京電機大学
電極活物質-カーボンナノチューブコンポジット及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2016-072190 Applicant：大阪瓦斯株式会社

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