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J-GLOBAL ID：202003003901908950

金属・誘電体・金属の3層構造を有する光変調構造体、その製造方法及び用途

Inventor： 金森 義明 ,  羽根 一博
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (3)： 特許業務法人イイダアンドパートナーズ ,  大家 邦久 ,  林 篤史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018234473
Publication number (International publication number)：2020094973
Application date： Dec. 14, 2018
Publication date： Jun. 18, 2020
Summary：

【課題】誘電体層の厚み(ギャップ)に対する感度が高く、圧力センサや変位センサなどに応用できる、導電体、誘電体及び導電体の3層構造を有する光メタマテリアル(光変調構造体)を提供する【解決手段】第1の基板上の導電体層(第1導電体層)が誘電体層を介して第2の基板上の導電体層(第2導電体層)と対向し、前記誘電体層の厚みが外力により変化する構造を有することを特徴とする光変調構造体、その製造方法、及びその光変調構造体を用いた装置。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の基板上の導電体層(第1導電体層)が誘電体層を介して第2の基板上の導電体層(第2導電体層)と対向し、前記誘電体層の厚みが外力により変化する構造を有することを特徴とする光変調構造体。

IPC (4)：

G01L 1/24 ,  G02B 26/02 ,  B81B 3/00 ,  B81C 3/00

FI (4)：

G01L1/24 Z ,  G02B26/02 Z ,  B81B3/00 ,  B81C3/00

F-Term (17)：

2H141MA22 ,  2H141MD02 ,  2H141MF30 ,  2H141MZ16 ,  2H141MZ19 ,  2H141MZ27 ,  3C081BA11 ,  3C081BA28 ,  3C081BA41 ,  3C081CA23 ,  3C081CA26 ,  3C081CA28 ,  3C081CA32 ,  3C081DA02 ,  3C081DA06 ,  3C081EA03 ,  3C081EA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭62-126303