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J-GLOBAL ID：202003007817566446
構造体の製造方法と製造装置および中間構造体
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (2)：
福岡 昌浩
, 橘高 英郎
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019148874
Patent number：6694102
Application date： Aug. 14, 2019
Summary：
【課題】III族窒化物に対するPECエッチングにおいて、エッチング条件の時間的変動を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】構造体の製造方法は、少なくとも表面がIII族窒化物で構成されたエッチング対象物を準備する工程と、エッチング対象物が、ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液に浸漬された状態で、エッチング対象物の表面に、エッチング液を介して光を照射し、ペルオキソ二硫酸イオンから硫酸イオンラジカルを生成させるとともに、III族窒化物中にホールを生成させることにより、III族窒化物をエッチングする工程と、を有し、III族窒化物をエッチングする工程では、III族窒化物のエッチングの開始時点におけるエッチング液を酸性とすることで、III族窒化物がエッチングされる期間中にエッチング液が酸性である状態を維持する。
【選択図】図2
Claim (excerpt)：
【請求項1】 少なくとも表面がIII族窒化物で構成されたエッチング対象物を準備する工程と、
前記エッチング対象物が、ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液に浸漬された状態で、前記エッチング対象物の前記表面に、前記エッチング液を介して光を照射し、前記ペルオキソ二硫酸イオンから硫酸イオンラジカルを生成させるとともに、前記III族窒化物中にホールを生成させることにより、前記III族窒化物をエッチングする工程と、
を有し、
前記III族窒化物をエッチングする工程では、前記III族窒化物のエッチングの開始時点における前記エッチング液を酸性とすることで、前記III族窒化物がエッチングされる期間中に前記エッチング液が酸性である状態を維持し、
前記表面上にレジストマスクが形成された状態で、前記エッチングを行う、構造体の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/306 ( 200 6.01)
, H01L 21/308 ( 200 6.01)
H01L 21/306 B
, H01L 21/308 C
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