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J-GLOBAL ID：202003008489576745

光電変換素子

Inventor： 花村 克悟 ,  磯部 和真 ,  宇野 智裕 ,  徳丸 慎司 ,  小林 孝之
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学 ,  日本製鉄株式会社
Agent (1)： 特許業務法人太陽国際特許事務所
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2019008198
Publication number (International publication number)：WO2019168175
Application date： Mar. 01, 2019
Publication date： Sep. 06, 2019
Summary：

光電変換素子自体の構造で光を選択的に反射することができる光電変換素子を提供する。 光電変換素子は、光起電力効果により光を電力に変換する半導体を用いた光電変換素子であって、半導体からなる半導体層と、半導体層の表面に形成された金属層である表側金属層と、半導体層の裏面に形成された金属層である裏側金属層と、を備え、表側金属層、半導体層および裏側金属層によってMSM構造の共振器が形成されている。

Claim (excerpt)：

光起電力効果により光を電力に変換する半導体を用いた光電変換素子であって、 前記半導体からなる半導体層と、前記半導体層の表面に形成された金属層である表側金属層と、前記半導体層の裏面に形成された金属層である裏側金属層と、を備え、 前記表側金属層、前記半導体層および前記裏側金属層によってMSM構造の共振器が形成されている、 光電変換素子。

IPC (2)：

H01L 31/054 ,  H01L 31/07

FI (2)：

H01L31/04 620 ,  H01L31/06 350

F-Term (8)：

5F151AA08 ,  5F151BA18 ,  5F151CB08 ,  5F151CB15 ,  5F151DA05 ,  5F151FA16 ,  5F151FA23 ,  5F151GA03