電気特性測定装置及び電気特性測定方法

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：木下茂 , 澤田優子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019056966
Publication number (International publication number)：2020161556
Application date： Mar. 25, 2019
Publication date： Oct. 01, 2020
Summary：

【課題】誘電体膜が形成された半導体ウェーハの電気特性測定において、パルス光伝導法を用い、測定効率を向上すること。【解決手段】誘電体膜が形成された半導体ウェーハの試料12から生じる光伝導信号をパルス光伝導法により測定する電気特性測定装置1であって、制御部20は、前記試料が充電された後、パルス光照射手段4により前記試料に紫外線のパルス光を照射させるとともに、該照射のタイミングに基づいて充電リレー16により充電用抵抗をオフにして測定用抵抗のみに切り替える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

誘電体膜が形成された半導体ウェーハの試料から生じる光伝導信号をパルス光伝導法により測定する電気特性測定装置であって、前記試料の誘電体膜に対し所定のギャップを空けて配置された電極と、前記電極から前記試料に対し矩形波状のパルス電圧を印加するパルス電圧印加手段と、前記電極の位置から前記試料に対し紫外線のパルス光を照射するパルス光照射手段と、前記試料を挟んで前記電極とは反対側において、前記試料を保持する為の金属製の試料ステージに接続された測定回路のケーブルと、前記印加された電圧により前記試料を充電するため、前記測定回路のケーブル寄生容量と並列に設けられた充電用抵抗と、前記充電用抵抗のオンオフを切り替える充電リレーと、前記測定回路において前記試料ステージが一端に接続された前記ケーブルの他端側に接続された測定用抵抗と、前記パルス光照射手段の動作と前記充電リレーの動作とを制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記試料が充電された後、前記パルス光照射手段により前記試料に紫外線のパルス光を照射させるとともに、該照射のタイミングに基づいて前記充電リレーにより前記充電用抵抗をオフにして前記測定用抵抗のみに切り替えることを特徴とする電気特性測定装置。

IPC (3)：

H01L 21/66 , G01N 27/04 , G01N 27/00

FI (4)：

H01L21/66 Q , H01L21/66 L , G01N27/04 Z , G01N27/00 Z

F-Term (13)：

2G060AF08 , 2G060EB08 , 2G060HC10 , 2G060KA16 , 4M106AA01 , 4M106AA13 , 4M106BA04 , 4M106BA07 , 4M106BA20 , 4M106CA70 , 4M106CB10 , 4M106DH04 , 4M106DH31

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

金属汚染濃度分析方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2016-088844 Applicant：グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社, 国立大学法人熊本大学

Cited by examiner (1)

金属汚染濃度分析方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2016-088844 Applicant：グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社, 国立大学法人熊本大学

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Noncontact evaluation for interface states by photocarrier counting
Nondestructive Measurement of Nonlinear Conduction of Nanoscale Materials, Nanoscale SiO2, and K0.3M

Cited by examiner (2)

Noncontact evaluation for interface states by photocarrier counting
Nondestructive Measurement of Nonlinear Conduction of Nanoscale Materials, Nanoscale SiO2, and K0.3M

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