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J-GLOBAL ID：202003014781215761

荷電粒子ビーム強度分布可変装置、荷電粒子ビーム強度分布可変方法、二次粒子生成装置、及び放射性同位体生成装置

Inventor： 福田 光宏 ,  百合 庸介
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学 ,  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
Agent (16)： 小野 誠 ,  金山 賢教 ,  坪倉 道明 ,  重森 一輝 ,  安藤 健司 ,  市川 英彦 ,  青木 孝博 ,  櫻田 芳恵 ,  川嵜 洋祐 ,  五味渕 琢也 ,  今藤 敏和 ,  飯野 陽一 ,  市川 祐輔 ,  森山 正浩 ,  岩瀬 吉和 ,  城山 康文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018207270
Publication number (International publication number)：2020071192
Application date： Nov. 02, 2018
Publication date： May. 07, 2020
Summary：

【課題】中空状のビーム強度分布を有する荷電粒子ビームを形成することができる荷電粒子ビーム強度分布可変装置、荷電粒子ビーム強度分布可変方法、二次粒子生成装置、及び放射性同位体生成装置を提供すること。【解決手段】荷電粒子ビーム強度分布可変装置(1)は、イオンビーム源において生成される荷電粒子ビームを加速して出射する加速器(5)と、加速器から出射される荷電粒子ビームの進行経路上に少なくとも1つ以上設けられ、6極以上の磁極を有し非線形の磁束密度分布を有する磁場を形成する多重極電磁石(50)と、を具備し、多重極電磁石内に、荷電粒子ビームを通過させて、中空状のビーム強度分布を有する荷電粒子ビームを生成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

イオンビーム源において生成される荷電粒子ビームを加速して出射する加速器と、 前記加速器から出射される前記荷電粒子ビームの進行経路上に少なくとも1つ以上設けられ、6極以上の磁極を有し非線形の磁束密度分布を有する磁場を形成する多重極電磁石と、 を具備し、 前記多重極電磁石内に、前記荷電粒子ビームを通過させて、中空状のビーム強度分布を有する前記荷電粒子ビームを生成する、荷電粒子ビーム強度分布可変装置。

IPC (3)：

G21K 1/093 ,  H05H 7/04 ,  G21K 5/04

FI (5)：

G21K1/093 Z ,  H05H7/04 ,  G21K1/093 F ,  G21K1/093 D ,  G21K5/04 A

F-Term (2)：

2G085BC06 ,  2G085DA10

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Transformation of the beam intensity distribution and formation of a uniform ion beam by means of no