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J-GLOBAL ID：202003015069106472

電子素子及びその製造方法並びに磁気抵抗素子

Inventor：
薬師寺 啓

About 薬師寺 啓

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杉原 敦

About 杉原 敦

, 
湯浅 新治

About 湯浅 新治


Applicant, Patent owner：
国立研究開発法人産業技術総合研究所

About 国立研究開発法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018167801
Publication number (International publication number)：2020043165
Application date： Sep. 07, 2018
Publication date： Mar. 19, 2020
Summary：
【課題】Si(001)単結晶基板上に電子素子層を設ける際のB2構造下地層の表面が、より平坦化された、磁気抵抗素子等の電子素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板と、下地層と、電子素子層とが、順に積層された積層構造を有する電子素子であって、基板はシリコン(001)単結晶基板であり、下地層は、化学量論的組成よりAlを過剰に含むXAl(Xは、Ni及びCoから選択される1以上の金属)からなるB2型構造の単結晶の下地層である。【選択図】図1A
Claim (excerpt)：
基板と、下地層と、電子素子層とが、順に積層された積層構造を有する電子素子であって、 前記基板は、シリコン(001)単結晶基板であり、 前記下地層は、化学量論的組成よりAlを過剰に含むXAl(Xは、Ni及びCoから選択される1以上の金属)からなるB2型構造の単結晶の下地層であることを、 特徴とする、電子素子。
IPC (2)：
H01L 43/10 ,  H01L 43/08
FI (2)：
H01L43/10 ,  H01L43/08 Z
F-Term (27)：
5F092AA05 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB34 ,  5F092BB36 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC22 ,  5F092BE02 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092CA02 ,  5F092CA25
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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