磁気抵抗素子および磁気メモリ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：勝沼宏仁 , 関根毅 , 鈴木順生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014234949
Publication number (International publication number)：2016100415
Application date： Nov. 19, 2014
Publication date： May. 30, 2016
Summary：

【課題】記憶層を薄膜化しても、下地層に含まれる元素の拡散の影響を低減することのできる磁気抵抗素子および磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態による磁気抵抗素子は、NiおよびCoのうちの少なくとも1つの元素と、Alとを含み、CsCl構造を有する第1層と、垂直磁気異方性を有する磁性体を含む第1磁性層と、前記第1層と前記第1磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、前記第1層と前記第1非磁性層との間に設けられ、MnおよびGaを含むとともに垂直磁気異方性を有する磁性体を含む第2磁性層と、を備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

NiおよびCoのうちの少なくとも1つの元素と、Alとを含み、CsCl構造を有する第1層と、垂直磁気異方性を有する磁性体を含む第1磁性層と、前記第1層と前記第1磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、前記第1層と前記第1非磁性層との間に設けられ、MnおよびGaを含むとともに垂直磁気異方性を有する磁性体を含む第2磁性層と、を備えた磁気抵抗素子。

IPC (8)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 29/82 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01F 10/30

FI (7)：

H01L43/08 M , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01F10/30

F-Term (44)：

4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD03 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 5E049AA04 , 5E049AA09 , 5E049BA30 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5E049DB14 , 5E049GC01 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC09 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

磁気抵抗素子および磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-068868 Applicant：株式会社東芝, 国立大学法人東北大学原子分子材料科学高等研究機構, 独立行政法人産業技術総合研究所
熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-085992 Applicant：昭和電工株式会社
磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-029693 Applicant：昭和電工株式会社

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