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J-GLOBAL ID:202003016928116090
多孔高分子金属錯体、これを用いたガス吸着材、ガス分離装置、ガス貯蔵装置、触媒、導電性材料、センサー
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (6):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 福地 律生
, 小林 良博
, 出野 知
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2016034315
Publication number (International publication number):2017149682
Patent number:6761257
Application date: Feb. 25, 2016
Publication date: Aug. 31, 2017
Claim (excerpt):
【請求項1】 [AXY]n (1)
(式中、Aは遷移金属イオンを表し、Xは5位にふっ素以外の含ハロゲン官能基であって、Hがふっ素以外のハロゲンで置換された直鎖または分岐鎖のアルキル基およびアルコキシ基である含ハロゲン官能基を有するイソフタル酸イオンである第一配位子を表し、Yは配位点を分子の両末端に有している、ピラジンまたはビピリジル型の第二配位子を表し、nは、AXYから成る構成単位の数を表す)
の構造単位を有する多孔性高分子金属錯体。
IPC (9):
C07C 63/72 ( 200 6.01)
, C07C 63/24 ( 200 6.01)
, C07D 241/12 ( 200 6.01)
, C07D 213/22 ( 200 6.01)
, C07D 213/06 ( 200 6.01)
, C07F 3/06 ( 200 6.01)
, B01J 20/26 ( 200 6.01)
, B01D 53/02 ( 200 6.01)
, B01J 31/22 ( 200 6.01)
FI (10):
C07C 63/72 CSP
, C07C 63/24
, C07D 241/12
, C07D 213/22
, C07D 213/06
, C07F 3/06
, B01J 20/26 A
, B01D 53/02
, B01J 31/22 Z
, B01J 31/22 M
Patent cited by the Patent:
Article cited by the Patent:
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