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J-GLOBAL ID：202003018116180154

半導体化合物、半導体化合物の層を有する半導体素子、積層体、およびターゲット

Inventor： 細野 秀雄 ,  金 正煥 ,  方 俊皓 ,  雲見 日出也 ,  渡邉 暁 ,  大越 雄斗 ,  宮川 直通 ,  石橋 奈央 ,  増茂 邦雄 ,  中村 伸宏
Applicant, Patent owner： AGC株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
Agent (2)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2018040343
Publication number (International publication number)：WO2019107046
Application date： Oct. 30, 2018
Publication date： Jun. 06, 2019
Summary：

金属カチオンおよび酸素を含む酸化物系の半導体化合物であって、前記金属カチオンと結合していた水素負イオンH-がフッ素イオンF-で置換されており、1個〜3個の金属カチオンと結合しているフッ素イオンF-を有する、酸化物系の半導体化合物。

Claim (excerpt)：

金属カチオンおよび酸素を含む酸化物系の半導体化合物であって、 前記金属カチオンと結合していた水素負イオンH-がフッ素イオンF-で置換されており、 1個〜3個の金属カチオンと結合しているフッ素イオンF-を有する、酸化物系の半導体化合物。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/024 ,  H01L 51/50

FI (6)：

H01L29/78 618G ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/203 S ,  H01L31/04 300 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 A

F-Term (81)：

3K107AA01 ,  3K107CC33 ,  3K107DD75 ,  3K107DD85 ,  3K107FF14 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103KK10 ,  5F103LL13 ,  5F103PP04 ,  5F103PP20 ,  5F103RR04 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HK03 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09 ,  5F151AA20