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J-GLOBAL ID：202003018589880021

オゾン検知材料及びそれを用いたオゾン検知方法

Inventor： 安藤 昌儀 ,  茂里 康 ,  上垣 浩一 ,  上村 拓也
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016026337
Publication number (International publication number)：2017145153
Patent number：6736047
Application date： Feb. 15, 2016
Publication date： Aug. 24, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】化合物半導体ナノ粒子からなるオゾン検知材料であって、 前記化合物半導体ナノ粒子は、II族元素とセレン、テルル及び硫黄よりなる群から選ばれる少なくとも1種のVI族元素とからなるII-VI族半導体ナノ粒子であり、且つ、前記化合物半導体ナノ粒子は、トリオクチルホスフィン、トリオクチルホスフィンオキシド、オクチルアミン及びチオグリコール酸よりなる群から選ばれる少なくとも1種の界面活性剤で被覆されている、オゾン検知材料。

IPC (2)：

C01B 19/04 ( 200 6.01) ,  G01N 31/00 ( 200 6.01)

FI (4)：

C01B 19/04 C ,  C01B 19/04 W ,  C01B 19/04 H ,  G01N 31/00 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• ガスセンサ、ガス測定装置、及びガスセンサの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-195998   Applicant：セイコーインスツル株式会社, 国立大学法人東京大学
• 半導体量子ドットの合成方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2011-523766   Applicant：リミテッドライアビリティカンパニーザ“ナノテックードゥブナ”トライアルセンターフォーサイエンスアンドテクノロジー

Cited by examiner (2)

• ガスセンサ、ガス測定装置、及びガスセンサの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-195998   Applicant：セイコーインスツル株式会社, 国立大学法人東京大学
• 半導体量子ドットの合成方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2011-523766   Applicant：リミテッドライアビリティカンパニーザ“ナノテックードゥブナ”トライアルセンターフォーサイエンスアンドテクノロジー

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• ChemPhysChem, 2011, Vol.12, pp.846-853
• Key Engineering Materials, 2014, Vol.605, pp.163-166
• Development of ozone and ammonia gas sensors on flexible substrate

Cited by examiner (3)

• ChemPhysChem, 2011, Vol.12, pp.846-853
• Key Engineering Materials, 2014, Vol.605, pp.163-166
• Development of ozone and ammonia gas sensors on flexible substrate