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J-GLOBAL ID:202003018589880021
オゾン検知材料及びそれを用いたオゾン検知方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人三枝国際特許事務所
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2016026337
Publication number (International publication number):2017145153
Patent number:6736047
Application date: Feb. 15, 2016
Publication date: Aug. 24, 2017
Claim (excerpt):
【請求項1】化合物半導体ナノ粒子からなるオゾン検知材料であって、
前記化合物半導体ナノ粒子は、II族元素とセレン、テルル及び硫黄よりなる群から選ばれる少なくとも1種のVI族元素とからなるII-VI族半導体ナノ粒子であり、且つ、前記化合物半導体ナノ粒子は、トリオクチルホスフィン、トリオクチルホスフィンオキシド、オクチルアミン及びチオグリコール酸よりなる群から選ばれる少なくとも1種の界面活性剤で被覆されている、オゾン検知材料。
IPC (2):
C01B 19/04 ( 200 6.01)
, G01N 31/00 ( 200 6.01)
FI (4):
C01B 19/04 C
, C01B 19/04 W
, C01B 19/04 H
, G01N 31/00 L
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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ガスセンサ、ガス測定装置、及びガスセンサの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2012-195998
Applicant:セイコーインスツル株式会社, 国立大学法人東京大学
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半導体量子ドットの合成方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2011-523766
Applicant:リミテッドライアビリティカンパニーザ“ナノテックードゥブナ”トライアルセンターフォーサイエンスアンドテクノロジー
Article cited by the Patent:
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