半導体量子ドットの合成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：久野琢也 , 矢野敏雄 , 高橋佳大 , 星公弘 , 二宮浩康 , 篠良一 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011523766
Publication number (International publication number)：2012500175
Application date： Aug. 18, 2009
Publication date： Jan. 05, 2012
Summary：

本発明は種々のルミネッセンス材料の製造のために、且つ、超小型発光ダイオード、白色光源、単電子トランジスタ、非線形光学素子、および感光性および光起電素子を製造するための基礎として使用される。半導体量子ドットを製造するための本発明の方法は、有機溶剤および表面改質剤を使用し、カルコゲン含有前駆体およびII族金属またはIV族金属を含有する前駆体からのナノ結晶核の合成を含む。本方法は(アミノアルキル)トリアルコキシシランが表面改質剤として使用され、コアの合成が150〜250°Cにわたる一定の温度で15秒〜1時間の間行われ、その際、ナノ結晶を含有する反応混合物を追加的にUV光によって1〜10分間、および超音波によって5〜15分間、処理することを特徴とする。本発明は半導体の量子ドットの光安定性を34%まで増加させ、且つ、非極性および極性溶剤中で分散されるそれらの能力、従って、量子収率を保持し且つ増加することを可能にする。

Claim (excerpt)：

II族金属またはIV族金属カルコゲナイドに基づく半導体量子ドットの製造方法であって、有機溶剤および表面改質剤を使用し、カルコゲンを含有する前駆体およびII族金属またはIV族金属を含有する前駆体からナノ結晶コアを合成することを含み、改質剤としての(アミノアルキル)トリアルコキシシランを適用し、コアを150〜250°Cにわたる一定の温度で15分間〜1時間の間、合成し、且つ、ナノ結晶コアを含有する反応混合物を追加的に、UV光によって1〜10分間処理し、且つ超音波によって5〜15分間処理することを特徴とする製造方法。

IPC (1)：

C01B 19/04

FI (2)：

C01B19/04 C , C01B19/04 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

アミノ基を結合してなる半導体超微粒子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-226558 Applicant：三菱化学株式会社
安定化粒子、その製造方法、およびその用途
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-518029 Applicant：ザ・ユニヴァシティ・オブ・メルボルン
被覆水溶性ナノ粒子
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-524838 Applicant：エージェンシーフォーサイエンス,テクノロジーアンドリサーチ

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