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J-GLOBAL ID：202003019450991909

III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
渡邉 康弘

About 渡邉 康弘


Applicant, Patent owner：
DOWAエレクトロニクス株式会社

About DOWAエレクトロニクス株式会社


Agent (2)： 杉村 憲司 ,  福井 敏夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019223516
Publication number (International publication number)：2020098908
Application date： Dec. 11, 2019
Publication date： Jun. 25, 2020
Summary：
【課題】高い発光出力及び優れた信頼性を両立したIII族窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体発光素子は、基板上10に、n型半導体層30、発光層40、p型AlGaN電子ブロック層60、p型コンタクト層70及びp側反射電極80を順次備え、発光層からの発光の発光中心波長が250nm以上330nm以下であり、p型AlGaN電子ブロック層のAl組成比は0.40以上0.80以下であり、p型コンタクト層の膜厚は10nm以上50nm以下であり、かつ、p型コンタクト層は、Al組成比が0.03以上0.25以下であるp型AlGaNコンタクト層を有する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に、n型半導体層、発光層、p型AlGaN電子ブロック層、p型コンタクト層及びp側反射電極を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、 前記発光層からの発光の発光中心波長が250nm以上330nm以下であり、 前記p型AlGaN電子ブロック層のAl組成比は0.40以上0.80以下であり、 前記p型コンタクト層の膜厚は10nm以上50nm以下であり、かつ、該p型コンタクト層は、Al組成比が0.03以上0.25以下であるp型AlGaNコンタクト層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
IPC (4)：
H01L 33/02 ,  H01L 33/32 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (4)：
H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
F-Term (45)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F241AA04 ,  5F241AA43 ,  5F241CA05 ,  5F241CA13 ,  5F241CA40 ,  5F241CA65 ,  5F241CA66 ,  5F241CA74 ,  5F241CA84 ,  5F241CB11 ,  5F241CB15 ,  5F241FF11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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