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J-GLOBAL ID：201603021198929229

III族窒化物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法、ならびにIII族窒化物半導体発光素子

Inventor：
藤田 武彦

About 藤田 武彦

, 
肥後 正昭

About 肥後 正昭

, 
渡邉 康弘

About 渡邉 康弘


Applicant, Patent owner：
DOWAエレクトロニクス株式会社

About DOWAエレクトロニクス株式会社


Agent (2)： 杉村 憲司 ,  福井 敏夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014224637
Publication number (International publication number)：2016088803
Application date： Nov. 04, 2014
Publication date： May. 23, 2016
Summary：
【課題】III族窒化物半導体発光素子の作製に供した際に、優れた発光特性および発光寿命特性を両立することが可能なIII族窒化物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のIII族窒化物半導体エピタキシャル基板1は、サファイア基板10と、サファイア基板10の主面上に形成されたAlN層20と、該AlN層20上に形成された、少なくともAlを含む、第1の層31および第2の層32をこの順に有するIII族窒化物積層体30と、を有し、第1の層31のAl組成比xが、第2の層32のAl組成比yよりも大きく、サファイア基板10の主面は、C面が0.46度以上0.54度以下のオフ角で傾斜した面であり、AlN層20の(10-12)面のX線ロッキングカーブの半値幅が400秒以下であり、第2の層32のc軸歪み量が引張方向に0.66%以上であることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
サファイア基板と、該サファイア基板の主面上に形成されたAlN層と、該AlN層上に形成された、少なくともAlを含むIII族窒化物積層体と、を有するIII族窒化物半導体エピタキシャル基板であって、 前記III族窒化物積層体は、第1の層および第2の層をこの順に有し、 前記第1の層のAl組成比xが、前記第2の層のAl組成比yよりも大きく、 前記サファイア基板の主面は、C面が0.46度以上0.54度以下のオフ角で傾斜した面であり、 前記AlN層の(10-12)面のX線ロッキングカーブの半値幅が400秒以下であり、 前記第2の層の(0002)面の2θ-ωスキャンX線回折ピークにより算出されるc軸歪み量が引張方向に0.66%以上であることを特徴とするIII族窒化物半導体エピタキシャル基板。
IPC (6)：
C30B 29/38 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/12 ,  H01L 33/16 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/34
FI (6)：
C30B29/38 D ,  H01L33/00 186 ,  H01L33/00 140 ,  H01L33/00 160 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34
F-Term (64)：
4G077AA03 ,  4G077AB08 ,  4G077AB10 ,  4G077BE11 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE10 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE17 ,  5F045AE21 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045EE12 ,  5F045GB11 ,  5F045HA16 ,  5F141AA40 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA23 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F241AA40 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA23 ,  5F241CA40 ,  5F241CA65
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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