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J-GLOBAL ID:202003020761431549

細胞培養用基板および間葉系幹細胞の分化制御方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 小野 新次郎 ,  山本 修 ,  宮前 徹 ,  中西 基晴 ,  廣瀬 しのぶ
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2019062622
Publication number (International publication number):2020156443
Application date: Mar. 28, 2019
Publication date: Oct. 01, 2020
Summary:
【課題】細胞培養用基板、特に間葉系幹細胞、組織幹細胞、及び、前駆細胞からなる群より選択される幹細胞を培養するための細胞培養用基板、並びに、前記細胞培養用基板を用いた前記幹細胞の分化制御方法、特に当該幹細胞の分化抑制方法、の提供。【解決手段】間葉系幹細胞、組織幹細胞、及び、前駆細胞からなる群より選択される幹細胞を培養するための細胞培養用基板であって、ドットパターンを有し、前記ドットパターンにおける各ドットの直径が50nm以上200nm以下であり、前記各ドットの配置間隔が50nm以上400nm以下である、前記細胞培養用基板。【選択図】なし
Claim (excerpt):
間葉系幹細胞、組織幹細胞および前駆細胞からなる群より選択される幹細胞を培養するための細胞培養用基板であって、ドットパターンを有し、当該ドットパターンにおける各ドットの直径が50nm以上200nm以下であり、各ドットの配置間隔が50nm以上400nm以下である、前記細胞培養用基板。
IPC (3):
C12M 3/00 ,  C12N 5/077 ,  C12N 5/074
FI (3):
C12M3/00 Z ,  C12N5/0775 ,  C12N5/074
F-Term (10):
4B029AA21 ,  4B029BB11 ,  4B029CC02 ,  4B029DG10 ,  4B065AA90X ,  4B065AC20 ,  4B065BC41 ,  4B065BC45 ,  4B065CA44 ,  4B065CA46
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 間葉系幹細胞の増殖・分化に及ぼすNicheの影響
  • 自己組織化ハニカムパターン表面形状を持つ足場構造体による細胞制御
  • 幹細胞の足場タンパク発現制御に基づく分化誘導プロセスの開発

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