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J-GLOBAL ID：202102223048111132   Reference number：21A0435783

Through-Silicon-Via Interposers with Cu-Level Electrical Conductivity and Si-Level Thermal Expansion Based on Carbon Nanotube-Cu Composites for Microelectronic Packaging Applications

マイクロエレクトロニクスパッケージング応用のためのカーボンナノチューブ-Cu複合材料に基づくCuレベル電気伝導率とSiレベル熱膨張を有するスルーシリコンビアインターポーザ【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Chen Guohai (CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Sundaram Rajyashree (CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Sekiguchi Atsuko (CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Hata Kenji (CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Futaba Don N. (CNT-Application Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
Material： ACS Applied Nano Materials
Volume： 4  Issue： 1  Page： 869-876  Publication year： 2021 
JST Material Number： W5033A  ISSN： 2574-0970  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Through-silicon-via (TSV) inte...

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Thesaurus term： electrodeposition ,  *electrical conductivity ,  *thermal expansion ,  failure ,  *silicon ,  *Copper ,  Miniaturization ,  prefabrication ,  *Electronics ,  *microelectronics ,  *carbon nanotube ,  vertical alignment ,  *through silicon via ,  modification
Semi thesaurus term： *インターポーザ ,  ICチップ , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (5)： carbon nanotube ,  TSV ,  interposer ,  CTE ,  electrical conductivity

JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Printed circuits  (NA05040O) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (7)： 応用 ,  カーボンナノチューブ ,  Cu ,  複合材料 ,  電気伝導率 ,  Si ,  熱膨張