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J-GLOBAL ID：202102223761831219   Reference number：21A0222190

Promotion in solid phase reaction of Pt/SiO_x bilayer film by electron-orbital-selective-excitation

電子軌道選択的励起によるPt/SiO_x二層膜の固相反応の促進【JST・京大機械翻訳】

Author (6)： Yasuda H. (Research Center for Ultra-High Voltage Electron Microscopy, Osaka University, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan. [e-mail]) ,  Sato K. ,  Ichikawa S. ,  Imamura M. ,  Takahashi K. ,  Mori H.
Material： RSC Advances (Web)
Volume： 11  Issue： 2  Page： 894-898  Publication year： 2021 
JST Material Number： U7055A  ISSN： 2046-2069  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： A thermally impossible positiv...

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Thesaurus term： free energy ,  *solid phase reaction ,  positive hole ,  *excitation (physics) ,  silicide ,  valence band ,  picosecond ,  core level ,  bilayer ,  single particle ,  oxygen atom ,  *silicon monoxide ,  *electron orbital
Semi thesaurus term： 局在化 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Electron spectroscopy  (BM09060K)

Terms in the title (6)： 電子軌道 ,  励起 ,  Pt ,  二層膜 ,  固相反応 ,  促進